LTE TDD+FDD五5频合一电子围栏宽带射频功放模 Band1B3B38B39B40

LTE TDD+FDD五5频合一电子围栏宽带射频功放模 Band1B3B38B39B40

LTE TDD+FDD五5频合一电子围栏宽带射频功放模 Band1B3B38B39B40 *深圳市国丰源科技有限公司是一家专注于微波射频信号功放研发、生产、销售、服务于一体的通信产品高新企业，可订制0－12G各种频段，各种功率信号功放干放。集成度，体积小，稳定性，可靠性高。 主要产品主要应用于公安专网，电子围栏，图像传输，无人机，对讲机，安防科研项目等。 *射频技术参数 **部分 ? 项目 参数 备注 工作频率 1805-1880MHz、1880-1920MHz、2320-2370MHz、2570-2620MHz ? 载波带宽 支持?TD-LTE、FDD－LTE，带宽类型5/10/15/20M ? ? 输出功率 30±1dBm ? 增益 30±1dB 可定制 带内波动 ≤4dB（4个不同频段之间），≤3dB（同频段内） ? 输入输出驻波比 ≤1.8 ? ? 输入信号峰均比 7.5dBm ? 二次谐波 ≤-45dBc ? EVM 功放对信号?EVM <18% ? 带外杂散 ≤-36dBm（功放打开，无输入，输出底噪测试，RBW=1MHz） ? 功放输出端口抗烧毁 正常工作模式下，在额定功率输出，输出端口开路下，连续10分钟不损坏模块，模块各项性能指标不恶化； ? 工作电流 ≤1.** ? **部分 ? 工作频率 1710-1785MHz、1880-1920MHz、2320-2370MHz、2570-2620MHz ? 增益 20dB 可定制 带内波动 ≤4dB（3个不同频段之间），≤2dB（同频段内）≤1.5dB ? ? 噪声系数 Band3：≤5dB、Band39/Band40/Band38：≤8dB ? ? 输入输出驻波比 ≤1.8 ? ? 较大输入不损坏电平 0dBm ? 工作电流 100mA ? 开关特性 TDD切换射频响应（功放的开启和关闭，LNA的开启与关闭） 1.上升沿+上升沿延迟：≤2.5us；(上升时间为：从较大值的10％上升到较大值的90％)； 2.下降沿：+下降沿延迟：≤2.5us；(下降时间为：从较大值的90％下降到较大值的10％)； ? 环境温度 工作温度 -10～+55℃ ? 相对湿度 5%～95%，无冷凝 ? 储存温度 -40～+85℃ ? *型号： HRPL945M-30-33/40N4 HRPL872M-15-33/40N4 HRPL1842M-75-33/40N4 HRPL2140M-60-33/40N4 HR-FLTE1821M-2-30N4 HR-FLTE1821M-39N4 HR-LTE0821M-3-30N1 HR-LTE1826M-4-30N1 HR-LTE1826M-4-33N4 HRPL872M-15-30N1 HRPL1828M-45-43N1 HR-TLTE596M-43N4 HR-TLTE626M-43N1 HR-TLTE1926-3-30N4 HR-TLTE2326M-39N1 TDD LTE-580MHz 2W TDD LTE-580MHz 10W TETRA 4W TLTE0826-8-33N4 FDD-LTE B1-B3 1W HR-FLTE1800M-30N1 HR-FLTE1800M-40N4 HR-FLTE1821M-2-30S4 HR-FLTE1821M-39N4 HR-FLTE2100M-40N4 HR-LTE1826M-4-33N4 HR-LTE1826M-5-30N4 HR-LTE1826M-6-30-30N4 HR-TDD350－43 HR-TDD400－37 HR-TLTE0826-8-33N4 HR-TLTE1457M-33-40N1 HR-TLTE1900M-40N1 HR-TLTE1926M-3-30N4 HR-TLTE1926M-30N1 HR-TLTE2300M-40N1 HR-TLTE2300M-42N2 HR-TLTE2326M-40N1 E7B61-06-C TDD-LTE TLTE0826-8-33N4